INTEGO的高度定制化系統助力模塊化品圓檢測
（文獻部分內容摘抄）
在過去的十年里，人們對碳化硅(SiC)器件的興趣顯著增長。SiC是一種寬帶隙半導體，由于其高能量效率，特別用于高功率、高溫和高頻器件。盡管在過去幾年中，SiC基板和外延片的質量有了很大的提高，但堆垛層錯(SFs)和基面位錯(BPDs)等關鍵缺陷仍可能導致雙極退化，最終導致器件完全失效。
為了在芯片級別上識別這些缺陷，已經開發了不同的表征方法，例如缺陷選擇性蝕刻和X射線地形圖。然而，這兩種方法都不適于在設備生產過程中進行快速的內聯質量控制，因為它們要么以破壞性方式工作，要么成本高，時間長。正在消耗。
因此，IN EGO開發了一個新的多通道sic檢測系統，允許在室溫下快速、無損和無接觸地檢測器件生產鏈上Sic芯片的關鍵缺陷。
INTEGO的系統專為潔凈室環境IS04設計，能夠處理100毫米、150毫米和200毫米SiC基片、外延芯片或部分加工的芯片。塊化系統概念允許在檢查方法、l1lumination類型和分辨能力方面進行單獨配置。德國PCO高速sCMOS攝像頭pco.edge5.5具有高分辨率，高幀速率、低噪聲、高動態范圍和量子效率保證了最佳圖像評價的最高圖像質量。
INTEGO的尖端系統最多可配備三個獨立檢測站，適用于高吞吐量應用或靈活的研發用途。每個站都有一個高精度顯微鏡臺和一個獨立設計的光致發光、差分干涉對比度(DIC)或明暗場顯微鏡單元。根據所選擇的顯微鏡放大倍數，圖像分辨率可高達0.3Hm/像素，從而能夠檢測、識別和分類許多不同的缺陷甚至小于1 Hm。
INTEGO的高度定制化系統可有效優化和監控不同晶圓類型的生產過程，從而節省材料和器件生產的時間并降低成本。
德國Excelitas PCO公司的pco.edge 5.5相機，具備高分辨率、高感光度、弱光成像的優點，將高速實驗過程完美記錄，為實驗提供強而有力的圖像數據支持。
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