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          從光到思維:共聚焦顯微鏡中的檢測器和測量技術(下)

          瀏覽次數:599 發布日期:2025-7-28  來源:徠卡顯微鏡
          從光到思維:共聚焦顯微鏡中的檢測器和測量技術(下)
          本文概述了共聚焦顯微鏡中常用的重要檢測器。“共聚焦顯微鏡”在此特指“真共聚焦掃描”,即僅對單點進行激發和測量的技術。本文旨在為用戶提供不同技術之間清晰的概覽,并針對不同應用場景給出合適的檢測器選擇建議,而非深入探討專業細節。

          雪崩光電二極管
          當然,目前也已經利用半導體技術制造出了可用于測量光強的光敏元件。其中,最容易與光電倍增管進行比較的器件是雪崩光電二極管(APD)。

          將光子轉化為電荷對   
          利用半導體測量光強時,使用的是內光電效應。該效應是指光子被吸收后,在弱摻雜的半導體材料中產生一對電荷(自由電子和可擴散的“空穴”)。吸收層嵌入在p型和n型摻雜層之間,其作用類似于擴大了直接pn結處形成的耗盡區。該層被稱為“i”層,因為它只表現出本征導電性。由于各層的排列順序,這些半導體系統被稱為pin二極管。如果在此類光電二極管的電極上施加反向偏置電壓,則會產生與入射光強度在很大范圍內成正比的電流。然而,這種二極管對于弱信號的靈敏度不夠高,且噪聲較大。

          圖13:在雪崩光電二極管中,本征(i)層夾在外部的p型和n型摻雜層之間。光子在此處被吸收并觸發電荷對的產生。為簡單起見,此處僅圖示了一個電荷。施加的電場將該電荷移動到倍增區(右側的pn結)。在此處,會產生大量新的電荷對,從而可以在輸出端測量到一個脈沖。

          雪崩效應   
          為了能夠測量更微弱的信號,在pin結構中增加了一個額外的層:在i層和n層之間插入另一個高摻雜的p層。此處形成的極高電場強度使電荷迅速加速,并在撞擊晶格原子時釋放能量,從而產生更多的電荷(這也是將其與PMT進行比較的原因)。這些新產生的電荷也會被加速,使這一過程像雪崩一樣迅速擴展,并在測量電路中產生一個脈沖。如果產生的電荷量適中,雪崩過程會自動停止,增益可達10²。在極高的反向電壓下,可以獲得極高的增益(高達10⁸),但為了避免器件損壞,必須主動中斷電流。后一種情況被稱為“蓋革模式”,因為它適用于無需額外放大即可檢測單個光子。蓋革模式的缺點是在一次測量事件后存在較長的死區時間。因此,通常這種模式不適合用于圖像記錄。  
          它與光電倍增管(PMT)的不同之處   
          與光電倍增管不同,雪崩光電二極管的動態范圍較小,因此需要始終注意被測光的強度不宜過高。在非蓋革模式下,其增益在100倍到1000倍之間,具體取決于施加的電壓。另一方面,這種類型的檢測器具有極低的暗電流,使其非常適合檢測微弱信號,否則這些信號在高暗電流的背景噪聲中會被淹沒。其光譜靈敏度覆蓋了從300納米到超過1000納米的寬廣范圍,這也解釋了為什么APD也常用于特別是紅色熒光發射的圖像記錄。盡管在紅色波段具有極高的靈敏度,但其熱噪聲仍然相對較小。這種噪聲取決于檢測器的表面積,APD的表面積最大為0.1平方毫米,而PMT檢測器的表面積可達10平方毫米。
          APD產生非常窄的脈沖,這是光子計數的一個重要特性。然而,這一特性只能在非蓋革模式下利用,因為在蓋革模式下,由于極長的死區時間(幾十納秒),這一優勢會喪失。

          混合探測器   
          如果能夠將PMT的高動態范圍與APD的速度和低噪聲結合起來,那將是非常理想的。而混合探測器(HyD;也稱為HPD:混合光電探測器或HPMT:混合光電倍增管)正是通過結合真空管和半導體組件的嵌合技術實現了這一點。 該組件中兩種技術的結合確實產生了一種兼具PMT和APD最佳特性的檢測器。

          設計   
          HyD的“輸入”部分與PMT完全相同:真空管中的光電陰極通過吸收光子釋放光電子。通常使用GaAsP光電陰極——這也是生物醫學熒光應用中使用的PMT最合適的陰極類型。然而,與PMT不同的是,HyD中的光電子不是分階段加速的,而是在一個單一步驟中經過超過8000伏特的電位差進行大幅加速。
          由此可見,相對脈沖高度的差異遠小于PMT,后者到第一倍增極的加速電壓約為100伏。正如“光電倍增管”一章所述,第一倍增極釋放的電子數量在2到4個之間,預期方差為1到2個電子。這就是為什么PMT的脈沖高度通常變化3到5倍的原因。相比之下,混合探測器中的光電子被8千伏的電壓加速,從動能轉換中獲得約1500個次級電子。因此,變化約為40個電子(√1500)。雖然這肯定比2到4個電子要多,但僅占1500的3%。因此,輸出脈沖非常均勻,能夠更準確地反映激發能量。
          圖14:混合探測器(HyD)的設計。與光電倍增管類似,光子(hν)在光電陰極處被吸收并產生一個自由電子(e–)。該電子在真空中以極高的電壓(約8千伏)加速。其能量在半導體材料中轉換為電荷對,并在倍增層(pn)中再次放大。

          圖14:混合探測器(HyD)的設計。與光電倍增管類似,光子(hν)在光電陰極處被吸收并產生一個自由電子(e–)。該電子在真空中以極高的電壓(約8千伏)加速。其能量在半導體材料中轉換為電荷對,并在倍增層(pn)中再次放大。

          使用 HyD 進行數據記錄   
          由于單步加速和隨后的直接放大,電荷的軌跡變化要小得多,這意味著HyD產生的脈沖比PMT產生的脈沖更加銳利:脈沖寬度減少了約20倍,約為1納秒(目前已接近½納秒)。
          此外,由于沒有倍增極以及光電陰極的尺寸小得多,暗事件也大大減少。與光電倍增管相比,背景噪聲也顯著降低。除了提高記錄圖像的對比度之外,這還允許對更多圖像進行平均或累積。由于背景幾乎完全是黑色的,因此當大量圖像合并成一個圖像時,背景仍然保持黑色,這使得在高對比度下顯著降低信號噪聲成為可能。 因此,混合探測器具有諸多優勢。其均勻且窄的脈沖允許在光電流強度下進行光子計數,而這種光電流強度很快就會使PMT過飽和。
          因此,即使是對于“普通”的圖像記錄,也應該考慮使用處于光子計數模式的混合探測器。畢竟,正如“光子計數”一章所述,與模擬檢測技術相比,光子計數具有許多優勢。
          圖15:與圖7、10和11中描述的事件過程相同,但此處使用的是混合探測器,相比普通PMT,它具有更高的帶寬和更恒定的脈沖高度。顯著提高的脈沖分辨率使得能夠分辨間隔更緊密的脈沖(即在光子計數模式下可以記錄更高的光強度)。此外,也不會遺漏小的脈沖。

          因此,評估結果不會產生被噪聲“污損”的直方圖和準連續的直方圖,而是如預期的那樣,產生定義清晰的、僅包含少量光子的頻率分布。圖9展示的就是這樣一種直方圖。頂部顯示的是每個像素平均10個光子的泊松分布。
          利用混合探測器,徠卡TCS SP8系統提供了三種不同的數據記錄技術供用戶自由選擇。首先,可以將光子計數的原始數據直接用作圖像信息(“光子計數”模式)。由于該模式不使用線性化方法,因此最大計數率低于線性化數據,但仍然顯著高于傳統光電倍增管。獲得的速率約為60 Mcps(兆計數/秒)(詳見“光子計數”章節)。
          如果通過上述的數學線性化方法對計數事件進行校正,最大計數率將提高5倍,可以記錄高達300 Mcps的亮度。在這種情況下,光子可以轉換為不一定是整數的值,因此最好立即進行縮放處理,以使亮度值與傳統檢測器具有可比性,并適合在顯示器上進行平衡顯示。該方法是標準應用的方法。請注意,由于展寬和舍入效應,直方圖可能看起來“奇怪”。但是,在評估圖像亮度時測量的數據仍然是正確的。
          為了更好地呈現所使用的總動態范圍,還可以對數值進行調整,以減少明亮像素的影響并增加黑暗像素的影響。這類似于HDR渲染的效果。這種模式被稱為“Bright R”,用于顯示亮度差異很大的圖像,以避免明亮區域出現眩光,并使黑暗區域保持可見。例如,細胞體中含有大量染料而樹突非常細的神經元就屬于這種情況。


          參考文獻:
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