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1418 次 TOF-SIMS在聚合物薄膜和涂層的光譜分析 2024-10-10
飛行時間二次離子質譜（ Time of FlightSecondary Ion Mass Spectrometry ，TOF-SIMS）是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的原子或原子團吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,
1081 次二次離子質譜儀不同質量分析器的區別 2024-9-13
二次離子質譜法是一種高效的分析技術，利用化合物的離子化過程及其質量分析，以確定待測化合物的分子量、分子式和結構特征。質譜儀作為該方法的重要組成部分，通過將離子的質量進行有效分離，并
1480 次 TOF-SIMS飛行時間二次離子質譜儀離子源的選擇 2024-8-29
TOF-SIMS（TimeofFlight Secondary Ion Mass Spectrometry）飛行時間二次離子質譜儀的基本組件包括一次離子束，和用于樣品深度剖析的離子束。主離子束被脈沖化以供飛行時間質譜儀進行分析使用。
1574 次使用TOF-SIMS進行材料研究 2024-8-13
靜態SIMS是一種非常靈敏的表面分析技術，能在只消耗樣品單層一小部分的情況下，獲得詳細的質譜圖。被分析的分子來自固體表面前幾層，這對于探討材料關鍵區域例如附著力或催化等性質至關重要。Ko
1700 次 TOF-SIMS飛行時間二次離子質譜的技術能力 2024-8-6
飛行時間二次離子質譜（TOF-SIMS）是一種表面分析技術，它將脈沖一次離子束聚焦到樣品表面，在濺射過程中產生二次離子。分析這些二次離子可提供有關樣品表面的分子、無機和元素種類的信息。例
4366 次一文讀懂飛行時間二次離子質譜技術（TOF-SIMS） 2024-8-1
什么是TOF SIMS? 它可以應用于哪些領域？能提供哪些信息？哪些樣品適用（哪些不適用）？在這一系列文章中，我們將解答所有這些問題，以及更多探討。飛行時間二次離子質譜法（ToF SIMS）是一種用